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看了就懂!锂电池保护板故障判断

池异常原因汇总,包括锂电池容量,锂电池内阻,锂电池电压,尺寸超厚,断路等。进行了简单汇总并分享给大家。

 

1、电池容量低

产生原因:a.附料量偏少;b.极片两面附料量相差较大;c.极片断裂;d.电解液少;e.电解液电导率低;f.正极与负极配片未配好;g.隔膜孔隙率小;h.胶粘剂老化→附料脱落;i.卷芯超厚(未烘干或电解液未渗透)j.分容时未充满电;k.正负极材料比容量小。


2、电池内阻高

产生原因:a.负极片与极耳虚焊;b.正极片与极耳虚焊;c.正极耳与盖帽虚焊;d.负极耳与壳虚焊;e.铆钉与压板接触内阻大;f.正极未加导电剂;g.电解液没有锂盐;h.电池曾经发生短路;i.隔膜纸孔隙率小。

  

3、电池电压低

产生原因:

a.副反应(电解液分解;正极有杂质;有水);b.未化成好(SEI膜未形成安全);c.客户的线路板漏电(指客户加工后送回的电芯);d.客户未按要求点焊(客户加工后的电芯);e.毛刺;f.微短路;g.负极产生枝晶。


4、超厚

a.焊缝漏气;b.电解液分解;c.未烘干水分;d.盖帽密封性差;e.壳壁太厚;f.壳太厚;g.卷芯太厚(附料太多;极片未压实;隔膜太厚)。


5、电池化成异常

a.未化成好(SEI膜不完整、致密);b.烘烤温度过高→粘合剂老化→脱料;c.负极比容量低;d.正极附料多而负极附料少;e.盖帽漏气,焊缝漏气;f.电解液分解,电导率降低。


6、电池爆炸

a.分容柜有故障(造成过充);b.隔膜闭合效应差;c.内部短路。


7、电池短路

a.料尘;b.装壳时装破;c.尺刮(隔膜纸太小或未垫好);d.卷绕不齐;e.没包好;f.隔膜有洞;g.毛刺


8、电池断路

a)极耳与铆钉未焊好,或者有效焊点面积小;b)连接片断裂(连接片太短或与极片点焊时焊得太靠下)



锂电池保护板常见不良分析

  

一、无闪现、输出电压低、带不起负载

  

此类不良首要排除电芯不良(电芯原本无电压或电压低),假设电芯不良则应检验保护板的自耗电,看是否是保护板自耗电过大导致电芯电压低。假设电芯电压正常,则是因为保护板整个回路不通(元器件虚焊、假焊、FUSE不良、PCB板内部电路不通、过孔不通、MOS、IC损坏等)。具体分析

  

过程如下:

(一)、用万用表黑表笔接电芯负极,红表笔依次接FUSE、R1电阻两端,IC的Vdd、Dout、Cout端,P+端(假定电芯电压为3.8V),逐段进行分析,此几个检验点都应为3.8V。若不是,则此段电路有问题。

  

1、FUSE两端电压有改动:检验FUSE是否导通,若导公例是PCB板内部电路不通;若不导公例FUSE有问题(来料不良、过流损坏(MOS或IC操控失效)、质料有问题(在MOS或IC动作之前FUSE被烧坏),然后用导线短接FUSE,持续往后分析。

  

2、R1电阻两端电压有改动:检验R1电阻值,若电阻值失常,则或许是虚焊,电阻自身开裂。若电阻值无失常,则或许是IC内部电阻出现问题。

  

3、IC检验端电压有改动:Vdd端与R1电阻相连。Dout、Cout端失常,则是因为IC虚焊或损坏。

  

4、若前面电压都无改动,检验B-到P+间的电压失常,则是因为保护板正极过孔不通。

  

(二)、万用表红表笔接电芯正极,激活MOS管后,黑表笔依次接MOS管2、3脚,6、7脚,P-端。


1.MOS管2、3脚,6、7脚电压有改动,则标明MOS管失常。

 

2.若MOS管电压无改动,P-端电压失常,则是因为保护板负极过孔不通。


二、短路无保护

  

1、VM端电阻出现问题:可用万用表一表笔接IC2脚,一表笔接与VM端电阻相连的MOS管管脚,供认其电阻值大小。看电阻与IC、MOS管脚有无虚焊。

  

2、IC、MOS失常:因为过放保护与过流、短路保护共用一个MOS管,若短路失常是因为MOS出现问题,则此板应无过放保护功用。

  

3、以上为正常情况下的不良,也或许出现IC与MOS装备不良引起的短路失常。如前期出现的BK-901,其型号为‘312D’的IC内延迟时间过长,导致在IC作出相应动作操控之前MOS或其它元器件已被损坏。注:其间供认IC或MOS是否发作失常最简易、直接的方法便是对有怀疑的元器件进行替换。

  

三、短路保护无自恢复

  

1、规划时所用IC原本没有自恢复功用,如G2J,G2Z等。

  

2、仪器设置短路恢复时间过短,或短路检验时未将负载移开,如用万用表电压档进行短路表笔短接后未将表笔从检验端移开(万用表相当于一个几兆的负载)。

  

3、P+、P-间漏电,如焊盘之间存在带杂质的松香,带杂质的黄胶或P+、P-间电容被击穿,ICVdd到Vss间被击穿。(阻值只有几K到几百K)。

  

4、假设以上都没问题,或许IC被击穿,可检验IC各管脚之间阻值。

  

四、内阻大

  

1、因为MOS内阻相对比较稳定,出现内阻大情况,首要怀疑的应该是FUSE或PTC这些内阻相对比较简单发作改动的元器件。

  

2、假设FUSE或PTC阻值正常,则视保护板结构检测P+、P-焊盘与元器件面之间的过孔阻值,或许过孔出现微断现象,阻值较大。

  

3、假设以上多没有问题,就要怀疑MOS是否出现失常:首要供认焊接有没有问题;其次看板的厚度(是否简单弯折),因为弯折时或许导致管脚焊接处失常;再将MOS管放到显微镜下观测是否破裂;终究用万用表检验MOS管脚阻值,看是否被击穿。

  

五、ID失常

  

1、ID电阻自身因为虚焊、开裂或因电阻质料不过关而出现失常:可从头焊接电阻两端,若重焊后ID正常则是电阻虚焊,若开裂则电阻会在重焊后从中裂开。

  

2、ID过孔不导通:可用万用表检验过孔两端。

  

3、内部线路出现问题:可刮开阻焊漆看内部电路有无断开、短路现象。



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